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高温存储器150度

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引导存储器：在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，设计工程师可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储器。例如，如果没有外部的寻址总线或串行引导接口，通常使用内部存储器，而不需要专门的引导器件。但在一些没有内部程序存储器的系统中，初始化是操作代码的一部分，因此所有代码都将驻留在同一个外部程序存储器中。某些微控制器既有内部存储器也有外部寻址总线，在这种情况下，引导代码将驻留在内部存储器中，而操作代码在外部存储器中。这很可能是安全的方法，150度25LC高温存储器，因为改变操作代码时不会出现意外地修改引导代码。在所有情况下，引导存储器都必须是非易失性存储器。

150度存储器25LC系列

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EEPROM与FRAM：EEPROM和FRAM的设计参数类似，但FRAM的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下，用户仍会选择EEPROM而不是FRAM，其主要原因是成本(FRAM较为昂贵)、质量水平和供货情况。设计工程师常常使用成本较低的串行EEPROM，除非耐久性或速度是强制性的系统要求。DRAM和SRAM都是易失性存储器，尽管这两种类型的网络存储器存储器都可以用作程序存储器和数据存储器，但SRAM主要用于数据存储器。DRAM与SRAM之间的主要差别是数据存储的寿命。只要不断电，150度25LC系列存储器，SRAM就能保持其数据，但DRAM只有极短的数据寿命，175度150度高温存储器，通常为4毫秒左右。与SRAM相比，DRAM似乎是毫无用处的，但位于微控制器内部的DRAM控制器使DRAM的性能表现与SRAM一样。DRAM控制器在数据消失之前周期性地刷新所存储的数据，所以存储器的内容可以根据需要保持长时间。由于比特成本低，DRAM通常用作程序存储器，所以有庞大存储要求的应用可以从DRAM获益。它的缺点是速度慢，但计算机系统使用高速SRAM作为高速缓冲存储器来弥补DRAM的速度缺陷。

150度高温EEPROM存储器

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测试策略：三个独立的测试：数据总线的测试、地址总线的测试以及设备的测试。前面两个测试针对电子连线的问题以及芯片的不正确插入；第三个测试更倾向于检测芯片的有无以及灾难性失效。作为一个意外的结果，设备的测试也可以发现控制总线的问题，尽管它不能提供关于问题来源的有用信息。执行这三个测试的顺序是重要的。正确的顺序是：首先进行数据总线测试，接着是地址总线测试，最后是设备测试。那是因为地址总线测试假设数据总线在正常工作，除非数据总线和地址总线已知是正常的，否则设备测试便毫无意义。如果任何测试失败，你都应该和一个硬件工程师一起确定问题的来源。通过查看测试失败处的数据值或者地址，应该能够迅速地找出电路板上的问题。

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